Hvad er forskellen mellem orienteret elektrisk stål og ikke-orienteret elektrisk stål?

Hvad er forskellen mellem orienteret elektrisk stål og ikke-orienteret elektrisk stål?

1, begge er koldvalsede siliciumstålplader, men siliciumindholdet er forskelligt. Siliciumindholdet i koldvalsede ikke-orienterede siliciumstålplader er 0,5 %-3.0 %, og siliciumindholdet i koldvalsede orienterede siliciumstålplader er mere end 3.0 %.

2, produktionsprocessen og ydeevnen af ​​forskellige: ikke-orienteret silicium stålplade end orienteret silicium stålplade proces krav er relativt lave. Ikke-orienteret siliciumstålplade er varmvalset billet eller kontinuerlig støbning i en tykkelse på omkring 2,3 mm spole. For produkter med lavt siliciumindhold koldvalses varmvalsede bredbånd til 0,5 mm tyk efter bejdsning. Ved fremstilling af produkter med højt siliciumindhold, efter varmvalsning af bejdsning (eller efter normalisering ved 8{{10}}0 ~ 850 grader og derefter bejdsning), koldvalsning til {{24 }}.55 eller 0.37 mm tyk, udglødning ved 85{{30}} grader i en kontinuerlig ovn med hydrogen- og nitrogenblandingsatmosfære og derefter koldvalsning til 0. 50 eller {{40}}.35 mm tyk med 6 ~ 10 % lavtrykshastighed. Denne lille reduktionshastighed af koldvalsning kan få kornstørrelsen til at vokse, og jerntabet falder under udglødning. Begge koldvalsede plader udglødes til sidst ved 850 grader i en kontinuerlig ovn i en 20% hydrogen nitrogen-blanding atmosfære og coates derefter med fosfat og kromatisolerende film. Efter koldvalsning til tykkelsen af ​​det færdige produkt er forsyningstilstanden for det meste 0,35 mm og 0,5 mm tyk stålstrimmel. B'erne for koldvalset ikke-orienteret siliciumstål er højere end for orienteret siliciumstål. Orienteret siliciumstålplade kræver, at indholdet af ståloxidinkludering er lavt og skal indeholde C0,03 ~ 0,05% og inhibitorer (anden fase dispersionspartikel eller korngrænse segregationselement). Virkningen af ​​inhibitoren er at forhindre den primære omkrystallisationskornvækst og fremme udviklingen af ​​sekundær omkrystallisation, hvorved der opnås en høj (110)[001] orientering. Selve hæmmeren er skadelig for magnetismen, så efter at hæmningen er afsluttet, skal den renses og udglødes ved høj temperatur. Når den anden fase-inhibitor anvendes, skal pladens opvarmningstemperatur øges for at gøre de oprindelige grove andenfase-partikler til fast opløsning, og derefter udfældes de fine partikler under varmvalsning eller normalisering for at øge inhiberingseffekten. Koldvalset færdigvare tykkelse på 0,28, 0,30 eller 0,35 mm. Koldvalset orienteret tyndt siliciumstålbånd er 0,30 eller 0,35 mm tykt orienteret siliciumstålbånd, og derefter bejdsning, koldvalsning og udglødning. Sammenlignet med koldvalset ikke-orienteret siliciumstål er tabet af orienteret siliciumstål meget lavere end for ikke-orienteret siliciumstål, og de magnetiske egenskaber er stærkt retningsbestemte. Det har overlegne egenskaber med høj permeabilitet og lavt tab i den let magnetiserede rulleretning. Jerntabet af det orienterede stålbånd i rulleretningen er kun 1/3 af tværgående, permeabilitetsforholdet er 6:1, jerntabet er ca. 1/2 af det varmvalsede bånd, og permeabiliteten er 2,5 gange det sidste.

3, ydeevne og brug: På grund af de forskellige ydeevnekarakteristika for de to er der forskelle i brugsretningen for koldvalsede ikke-orienterede siliciumstålplader, den vigtigste anvendelse er til generatorfremstilling, så det er også kendt som koldt -valset motor siliciumstål. Hovedanvendelsen af ​​koldvalset orienteret siliciumstålstrimmel er til transformerfremstilling, så det kaldes også koldvalset transformatorsiliciumstål.